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INFINEON TECHNOLOGIES

CY9BF114NPMC-G-JNE1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B110R 微控制器 IC 32-位 144MHz 256KB（256K x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）

核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 144MHz 连接能力: CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，UART/USART 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 83 程序存储容量: 256KB（256K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: 32K x 8 RAM 大小: 32K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-LQFP（14x14） 封装/外壳: 100-LQFP

CY9BF112NPQC-G-JNE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B110R 微控制器 IC 32-位 144MHz 160KB（160K x 8） 闪存 100-PQFP（20x14）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 144MHz 连接能力: CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，UART/USART 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 83 程序存储容量: 160KB（160K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 16K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-PQFP（20x14） 封装/外壳: 100-BQFP

CY9BF114NPQC-G-JNE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B110R 微控制器 IC 32-位 144MHz 288KB（288K x 8） 闪存 100-PQFP（14x20）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 144MHz 连接能力: CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，UART/USART 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 83 程序存储容量: 288KB（288K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 32K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-PQFP（14x20） 封装/外壳: 100-BQFP

CY9BF512NPMC-GE1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B510R 微控制器 IC 32-位 144MHz 160KB（160K x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）

核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 144MHz 连接能力: CANbus，CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，UART/USART，USB 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 83 程序存储容量: 160KB（160K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 16K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-LQFP（14x14） 封装/外壳: 100-LQFP

CY9BF568NPQC-G-JNE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-M4F FM4 MB9B560R 微控制器 IC 32-位 160MHz 1.03125MB（1.03125M x 8） 闪存 100-PQFP（14x20）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位 速度: 160MHz 连接能力: CANbus，CSIO，EBI/EMI，I2C，LINbus，SD，UART/USART，USB 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 80 程序存储容量: 1.03125MB（1.03125M x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 128K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 24x12b; D/A 2x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-PQFP（14x20） 封装/外壳: 100-BQFP

S6J342AFTBSV20000

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM® Cortex®-R5F Traveo™ T1G 微控制器 IC 32-位 240MHz 1.0625MB（1.0625M x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）

核心处理器: ARM® Cortex®-R5F 内核规格: 32-位 速度: 240MHz 连接能力: CANbus，CSIO，I2C，LINbus，UART/USART 外设: DMA，I2S，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 116 程序存储容量: 1.0625MB（1.0625M x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: 112K x 8 RAM 大小: 128K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3.5V ~ 5.2V 数据转换器: A/D 35x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 100-LQFP（14x14） 封装/外壳: 100-LQFP

CY62147GN18-55BVXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-VFBGA 供应商器件封装: 48-VFBGA（6x8）

CY62147GN18-55BVXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 55 ns 48-VFBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb 存储器组织: 256K x 16 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-VFBGA 供应商器件封装: 48-VFBGA（6x8）

S25FL256SDPBHBC03

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: NOR闪存 STD SPI

S25FL256SDPBHBC00

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: NOR闪存 STD SPI