TEXAS INSTRUMENTS
德州仪器 (TI) 是一家全球化半导体设计与制造企业,凭借 80,000+ 模拟 IC 与嵌入式处理器产品、各类软件以及最大规模的销售和技术支持不断开拓创新。
参考类型: 系列
输出类型: 固定
电压 - 输出（最小值/固定）: 3V
电流 - 输出: 10 mA
容差: ±0.05%
温度系数: 15ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz: 3.8ppmp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz: 0.7ppmrms
电压 - 输入: 3.25V ~ 6V
电流 - 供电: 2.6µA
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-23-6
参考类型: 系列
输出类型: 固定
电压 - 输出（最小值/固定）: 3V
电流 - 输出: 10 mA
容差: ±0.05%
温度系数: 6ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz: 15µVp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz: 24µVrms
电压 - 输入: 3.5V ~ 12V
电流 - 供电: 95µA
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
供应商器件封装: 8-VSSOP
CSD13380F3T
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管简介: 表面贴装型 N 通道 12 V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR（0.69x0.60）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 156 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-PICOSTAR（0.69x0.60）
封装/外壳: 3-XFLGA
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 3.5V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 3A，7A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 14ns，12ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 6-WSON（3x3）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4V ~ 12.6V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1.3A，7.6A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 82ns，12.5ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-23-6
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4V ~ 12.6V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1.3A，7.6A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 82ns，12.5ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-23-6
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4V ~ 12.6V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1.3A，7.6A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 82ns，12.5ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 6-WSON（3x3）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 3.5V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 3A，7A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 14ns，12ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 6-WSON（3x3）
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4V ~ 12.6V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 4.5A，7.6A
输入类型: 反相，非反相
上升/下降时间（典型值）: 3ns，2ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-23-6
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: MOSFET（N 沟道）
电压 - 供电: 4V ~ 6.85V
逻辑电压 - VIL，VIH: -
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 3A，4.5A
输入类型: 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）: 33 V
上升/下降时间（典型值）: 17ns，12ns
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC