ROHM SEMICONDUCTOR
BC817-25T116
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 800 mA 150MHz 表面贴装型 SST3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: -
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SST3
ESR03EZPJ102
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 电阻器 / 固定电阻器
数据:
简介: 1 kOhms ±5% 0.25W，1/4W 芯片电阻 0603（1608 公制） 汽车级 AEC-Q200，防脉冲 厚膜
电阻: 1 kOhms
容差: ±5%
功率 (W): 0.25W，1/4W
成分: 厚膜
特性: 汽车级 AEC-Q200，防脉冲
温度系数: ±200ppm/°C
工作温度: -55°C ~ 155°C
封装/外壳: 0603（1608 公制）
供应商器件封装: 0603
等级: -
大小 / 尺寸: 0.063 长 x 0.031 宽（1.60mm x 0.80mm）
高度 - 安装（最大值）: 0.022（0.55mm）
端子数: 2
故障率: -
RB540VM-30TE-17
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 UMD2
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 450 mV @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: UMD2
工作温度 - 结: 150°C（最大）
MCR01MZPF7501
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 电阻器 / 固定电阻器
数据:
简介: 7.5 kOhms ±1% 0.063W，1/16W 芯片电阻 0402（1005 公制） 汽车级AEC-Q200 厚膜
电阻: 7.5 kOhms
容差: ±1%
功率 (W): 0.063W，1/16W
成分: 厚膜
特性: 汽车级AEC-Q200
温度系数: ±100ppm/°C
工作温度: -55°C ~ 155°C
封装/外壳: 0402（1005 公制）
供应商器件封装: 0402
大小 / 尺寸: 0.039 长 x 0.020 宽（1.00mm x 0.50mm）
高度 - 安装（最大值）: 0.016（0.40mm）
端子数: 2
故障率: -
MCR03EZPJ151
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 电阻器 / 固定电阻器
数据:
简介: 150 Ohms ±5% 0.1W，1/10W 芯片电阻 0603（1608 公制） 汽车级AEC-Q200 厚膜
电阻: 150 Ohms
容差: ±5%
功率 (W): 0.1W，1/10W
成分: 厚膜
特性: 汽车级AEC-Q200
温度系数: ±200ppm/°C
工作温度: -55°C ~ 155°C
封装/外壳: 0603（1608 公制）
供应商器件封装: 0603
大小 / 尺寸: 0.063 长 x 0.031 宽（1.60mm x 0.80mm）
高度 - 安装（最大值）: 0.022（0.55mm）
端子数: 2
故障率: -
SH8MA3TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 30V 7A（Ta），6A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Ta），6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 28mOhm @ 7A，10V，50mOhm @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.2nC @ 10V，10nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 300pF @ 15V，480pF @ 15V
功率 - 最大值: 2W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
SH8MA4TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 30V 9A（Ta），8.5A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），8.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21.4mOhm @ 9A，10V，29.6mOhm @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.5nC @ 10V，19.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 640pF @ 15V，890pF @ 15V
功率 - 最大值: 2W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
SH8MA2GZETB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 30V 4.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80mOhm @ 4.5A，10V，82mOhm @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3nC @ 4.5V，6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 125pF @ 15V，305pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
RRH090P03TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.4 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 650mW（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）