ROHM SEMICONDUCTOR

SML-310VTT86

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 光电子器件 / 光发射器件 / 发光二极管及组件/模块
数据:

简介: 红色 LED 指示 - 分立 2V 0603(1608 公制)

颜色: 红色 配置: 标准 透镜颜色: 无色 透镜透明度: 透明 毫烛光等级: 4mcd 透镜样式: 矩形,带平顶 透镜尺寸: 1.20mm x 0.80mm 电压 - 正向 (Vf)(典型值): 2V 电流 - 测试: 20mA 视角: - 安装类型: 表面贴装型 波长 - 主: - 波长 - 峰值: 650nm 特性: - 封装/外壳: 0603(1608 公制) 供应商器件封装: 1608(0603) 大小 / 尺寸: 1.60mm 长 x 0.80mm 宽 高度(最大值): 0.90mm

BD8379FV-ME2

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 开关电源电路
数据:

简介: LED 驱动器 IC 12 输出 线性 调光 50mA 20-SSOP-B

类型: 线性 拓扑: - 内部开关: 是 输出数: 12 电压 - 供电(最低): 3V 电压 - 供电(最高): 5.5V 电压 - 输出: 35V 电流 - 输出/通道: 50mA 频率: 1.25MHz 调光: - 应用: - 工作温度: -40°C ~ 105°C(TA) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-LSSOP(0.173,4.40mm 宽) 供应商器件封装: 20-SSOP-B

UDZVFHTE-1718B

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 18 V 200 mW ±2.19% 表面贴装型 UMD2

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V 容差: ±2.19% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 65 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 13 V 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: UMD2

MCR03EZPFX1693

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 电阻器 / 固定电阻器
数据:

简介: 169 kOhms ±1% 0.1W,1/10W 芯片电阻 0603(1608 公制) 汽车级AEC-Q200 厚膜

电阻: 169 kOhms 容差: ±1% 功率 (W): 0.1W,1/10W 成分: 厚膜 特性: 汽车级AEC-Q200 温度系数: ±100ppm/°C 工作温度: -55°C ~ 155°C 封装/外壳: 0603(1608 公制) 供应商器件封装: 0603 大小 / 尺寸: 0.063 长 x 0.031 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值): 0.022(0.55mm) 端子数: 2 故障率: -

US6M11TR

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: MOSFET - 阵列 20V,12V 1.5A,1.3A 1W 表面贴装型 TUMT6

技术: MOSFET(金属氧化物) 配置: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V,12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF @ 10V 功率 - 最大值: 1W 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SMD,扁平引线 供应商器件封装: TUMT6

RSA5MGTR

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 9.2V 夹子 21.7A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 5V 电压 - 击穿(最小值): 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.7A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

DTC143ZEBTL

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 EMT3F(SOT-416FL)

晶体管类型: NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V 包含电阻器: R1 和 R2 电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA 频率 - 跃迁: 250 MHz 功率 - 最大值: 150 mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-89,SOT-490 供应商器件封装: EMT3F(SOT-416FL)

MCR03EZPFX1303

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 电阻器 / 固定电阻器
数据:

简介: 130 kOhms ±1% 0.1W,1/10W 芯片电阻 0603(1608 公制) 汽车级AEC-Q200 厚膜

电阻: 130 kOhms 容差: ±1% 功率 (W): 0.1W,1/10W 成分: 厚膜 特性: 汽车级AEC-Q200 温度系数: ±100ppm/°C 工作温度: -55°C ~ 155°C 封装/外壳: 0603(1608 公制) 供应商器件封装: 0603 大小 / 尺寸: 0.063 长 x 0.031 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值): 0.022(0.55mm) 端子数: 2 故障率: -

VS5V0BA1EST15R

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 BI DIRECTIONAL PROTECTION DIODE

MR45V100AMAZAATL

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 1Mb SPI 40 MHz 8-SOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: FRAM 技术: FRAM(铁电体 RAM) 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: SPI 时钟频率: 40 MHz 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 1.8V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOP