COMCHIP TECHNOLOGY
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 2.7 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 75 µA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 22 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 16.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 64V
电压 - 击穿(最小值): 71.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 103V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 64V
电压 - 击穿(最小值): 71.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 103V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A
| 库存数量: |
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 10 V
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 43.2A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 26V
电压 - 击穿(最小值): 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A
| 库存数量: |