CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

1N5239BTRPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装: DO-35

1N4740ATRPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41

1N4740ABKPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

1N4740ABKTINLEAD

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41

1N5819BKTINLEAD

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

1N5819BKPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

1N5231BTRPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装: DO-35

1N4746ATRPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41