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ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

IS61LPS12836A-200TQLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 4.5Mb 并联 200 MHz 3.1 ns 100-LQFP（14x20）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb 存储器组织: 128K x 36 存储器接口: 并联 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 3.1 ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20）

IS61LPS12836A-200TQLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 4.5Mb 并联 200 MHz 3.1 ns 100-LQFP（14x20）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb 存储器组织: 128K x 36 存储器接口: 并联 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 3.1 ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20）

IS62C1024AL-35QLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 35 ns 32-SOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-SOIC（0.455，11.30mm 宽） 供应商器件封装: 32-SOP

IS62C1024AL-35QLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 35 ns 32-SOP

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-SOIC（0.455，11.30mm 宽） 供应商器件封装: 32-SOP

IS61LV5128AL-10TLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 44-TSOP II

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb 存储器组织: 512K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 访问时间: 10 ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II

IS49RL36160A-107EBLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: RLDRAM 3 存储器 IC 576Mb 并联 933 MHz 7.5 ns 168-FBGA（13.5x13.5）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: RLDRAM 3 存储容量: 576Mb 存储器组织: 16M x 36 存储器接口: 并联 时钟频率: 933 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 7.5 ns 电压 - 供电: 1.28V ~ 1.42V 工作温度: -40°C ~ 95°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 168-LBGA 供应商器件封装: 168-FBGA（13.5x13.5）

IS62WV1288BLL-55HLI

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 32-sTSOP I

IS62WV1288BLL-55HLI-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 55 ns 32-sTSOP I

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb 存储器组织: 128K x 8 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 55ns 访问时间: 55 ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 32-sTSOP I

IS25LP256E-JLLE

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 166 MHz 8-WSON（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，1ms 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON（8x6）

IS25LP256E-JLLE-TR

制造商: ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: FLASH - NOR（SLC） 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 166 MHz 8-WSON（8x6）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR（SLC） 存储容量: 256Mb 存储器组织: 32M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字，页: 50µs，1ms 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON（8x6）