EVVO

PESD1CAN

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 70V 夹子 3A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SOT-23

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 24V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 25.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 70V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: 12pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

RB520S-30

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 SOD-523

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523 工作温度 - 结: 125°C

SMCJ26CA

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 42.1V 夹子 35.7A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 26V 电压 - 击穿（最小值）: 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.7A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMBJ16CA

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMB

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 16V 电压 - 击穿（最小值）: 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMB

MMBT2222A

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BSS308PE

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 11µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

AO3415A-EV

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.2 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1450 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 350mW（Ta）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BC817-25

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

GBU406

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 桥式整流器单相标准 600 V 通孔 GBU

二极管类型: 单相技术: 标准电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 4 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU

PESD1LIN

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 44V，70V 夹子 3A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SOD-323

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 15V（最大），24V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 17.1V，25.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 44V，70V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 160W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: 13pF @ 1MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TA）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323