电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 170 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4500 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: T-MAX™ [B2] 封装/外壳: TO-247-3 变式

晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 65V 频率 - 跃迁: 890MHz ~ 1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: - 增益: 8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值: 180W 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: - 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 8A 工作温度: 200°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 55AW 供应商器件封装: 55AW