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TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE

TLP293-4(TP,E

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 4 通道 16-SO

通道数: 4 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO

TLP293-4(GB-TP,E

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 4 通道 16-SO

通道数: 4 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO

TLP292-4(GB-TP,E

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 4 通道 16-SO

通道数: 4 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: AC，DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO

TLX9291A(GBTPL,F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 4-SO

通道数: 1 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 5µs，5µs 上升/下降时间（典型值）: 3µs，5µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1，27V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 30 mA Vce 饱和压降（最大）: 400mV 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 4-SO

TLX9185A(GBTPL,F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 6-SOP

通道数: 1 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 5µs，5µs 上升/下降时间（典型值）: 3µs，5µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1，27V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 30 mA Vce 饱和压降（最大）: 400mV 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.173，4.40mm 宽），4 引线 供应商器件封装: 6-SOP

TLX9188(GBTPL,F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 光电子器件 / 光电耦合器件 / 光电分立器件输出型光电耦合器件
数据:

简介: 光隔离器 晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 6-SOP

通道数: 1 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 200V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1，27V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 30 mA Vce 饱和压降（最大）: 400mV 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.173，4.40mm 宽），4 引线 供应商器件封装: 6-SOP

TW015Z65C,S1F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247-4L（X）

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 50A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +25V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 342W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4L（X） 封装/外壳: TO-247-4

TW015N65C,S1F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +25V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 342W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3

TW015N120C,S1F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 50A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +25V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 431W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3

TW015Z120C,S1F

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247-4L（X）

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V Vgs（最大值）: +25V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 431W（Tc） 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4L（X） 封装/外壳: TO-247-4