TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE

74HC573D

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类:

简介: D 型锁存器 1 通道 8：8 IC 三态 20-SOIC

逻辑类型: D 型锁存器电路: 8：8 输出类型: 三态电压 - 供电: 2V ~ 6V 独立电路: 1 延迟时间 - 传播: 26ns 电流 - 输出高、低: 7.8mA，7.8mA 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装: 20-SOIC

TC7MBL3125CFT(EL)

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类:

简介: 总线开关 4 x 1：1 14-TSSOP

类型: 总线开关电路: 4 x 1：1 独立电路: 1 电流 - 输出高、低: - 供电电压源: 单电源电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）供应商器件封装: 14-TSSOP

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 80 nC @ 10 V Vgs（最大值）: +10V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3950 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 68W（Tc）工作温度: 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: DPAK+ 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

SSM6K781G,LF

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 12 V 7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-WCSPC（1.5x1.0）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.4 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 600 pF @ 6 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 6-WCSPC（1.5x1.0）封装/外壳: 6-UFBGA，WLCSP

TPH1400ANH,L1Q

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.6 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），48W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳: 8-PowerVDFN

74HC153D

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类:

简介: 多路复用器 2 x 4：1 16-SOIC

类型: 多路复用器电路: 2 x 4：1 独立电路: 2 电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA 供电电压源: 单电源电压 - 供电: 2V ~ 6V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 16-SOIC

MG08SDA600E

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类:
数据:

简介: 磁盘（HDD） 6TB SAS 3.5 5V，12V

存储容量: 6TB 存储器类型: 磁盘（HDD）外形尺寸: 3.5 速度 - 读取: - 速度 - 写入: - 电压 - 供电: 5V，12V 类型: SAS 电流 - 最大值: - 工作温度: 5°C ~ 55°C 重量: - 大小 / 尺寸: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm

TCR2LN20,LF(SE

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
数据:

简介: PMIC - 稳压器 - 线性正固定 1 输出 200mA 4-SDFN（0.8x0.8）

输出配置: 正输出类型: 固定稳压器数: 1 电压 - 输入（最大值）: 5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）: 2V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.54V @ 150mA 电流 - 输出: 200mA 电流 - 静态 (Iq): 2 µA PSRR: - 控制特性: 使能保护功能: 过流工作温度: -40°C ~ 85°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 4-XFDFN 祼焊盘供应商器件封装: 4-SDFN（0.8x0.8）

TC74HC573APF

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类:

简介: D 型锁存器 1 通道 8：8 IC 三态 20-DIP

逻辑类型: D 型锁存器电路: 8：8 输出类型: 三态电压 - 供电: 2V ~ 6V 独立电路: 1 延迟时间 - 传播: 17ns 电流 - 输出高、低: 7.8mA，7.8mA 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 通孔封装/外壳: 20-DIP（0.300，7.62mm）供应商器件封装: 20-DIP

CMS30I30A(TE12L,QM

制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 30 V 3A 表面贴装型 M-FLAT（2.4x3.8）

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 490 mV @ 3 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 30 V 不同 Vr、F 时电容: 82pF @ 10V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-128 供应商器件封装: M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结: 150°C（最大）