ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED

SMF5.0A

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 9.2V 夹子 21.7A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 5V 电压 - 击穿(最小值): 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.7A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123

MMBT2222A

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 350 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

SMBJ28CA

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 28V 电压 - 击穿(最小值): 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

SM8S33A-Q1

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W(6.6kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: 汽车级 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB
技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V 不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C

SMCJ33CA

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 53.3V 夹子 3.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.8A 功率 - 峰值脉冲: 200W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123

SMBJ5.0CA

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 9.2V 夹子 65.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 5V 电压 - 击穿(最小值): 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 65.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

BSS123

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类:

简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 200mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 @ 200mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 350mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3