IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION
CPC1008NTR
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 继电器 / 固体继电器
简介: 固态 光电耦合继电器（光继电器） SPST-NO（1 Form A） 4-SOP（0.150，3.81mm）
安装类型: 表面贴装型
继电器类型: 光电耦合继电器（光继电器）
电路: SPST-NO（1 Form A）
输出类型: AC，DC
电压 - 输入: 1.2VDC
电压 - 负载: 0 V ~ 100 V
负载电流: 150 mA
导通电阻（最大值）: 8 Ohms
端接样式: 鸥翼
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 4-SOP（0.150，3.81mm）
供应商器件封装: 4-SOP
认证机构: CSA，TUV，UL
等级: -
资质: -
CPC1008N
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 继电器 / 固体继电器
简介: 固态 光电耦合继电器（光继电器） SPST-NO（1 Form A） 4-SOP（0.150，3.81mm）
安装类型: 表面贴装型
继电器类型: 光电耦合继电器（光继电器）
电路: SPST-NO（1 Form A）
输出类型: AC，DC
电压 - 输入: 1.2VDC
电压 - 负载: 0 V ~ 100 V
负载电流: 150 mA
导通电阻（最大值）: 8 Ohms
端接样式: 鸥翼
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 4-SOP（0.150，3.81mm）
供应商器件封装: 4-SOP
认证机构: CSA，TUV，UL
等级: -
资质: -
IXDD609YI
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 低端 栅极驱动器 IC 非反相 TO-263-5
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
电压 - 供电: 4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 9A，9A
输入类型: 非反相
上升/下降时间（典型值）: 22ns，15ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
供应商器件封装: TO-263-5
IXDI609YI
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 低端 栅极驱动器 IC 反相 TO-263-5
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
电压 - 供电: 4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 9A，9A
输入类型: 反相
上升/下降时间（典型值）: 22ns，15ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
供应商器件封装: TO-263-5
IXDD630YI
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:
简介: 低端 栅极驱动器 IC 非反相 TO-263-5
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
电压 - 供电: 12.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 30A，30A
输入类型: 非反相
上升/下降时间（典型值）: 11ns，11ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
供应商器件封装: TO-263-5
IXDN630YI
制造商: IXYS INTEGRATED CIRCUITS DIVISION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:
简介: 低端 栅极驱动器 IC 非反相 TO-263-5
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
电压 - 供电: 12.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH: 0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 30A，30A
输入类型: 非反相
上升/下降时间（典型值）: 11ns，11ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
供应商器件封装: TO-263-5