FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5920 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 75 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6138 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 104W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（4.9x5.75） 封装/外壳: 8-PowerTDFN

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.5 nC @ 2.5 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 366 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 890mW（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3