HUIXIN
HSD05C
制造商: HUIXIN分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
简介: 18V 夹子 17A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-323
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 5V(最大)
电压 - 击穿(最小值): 6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 18V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 17A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲: 350W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: 200pF @ 1MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V,1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C