FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 12mA Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具

FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 12mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 5 V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1410 pF @ 40 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具

类型: 电源管理 功能: 太阳能电池充电器 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2306 主要属性: 30V ~ 60V 输入电压 辅助属性: - 内含物: 板