MOSYS, INC.

MSR622AJC288-12

制造商: MOSYS, INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:

简介: 1T-SRAM 存储器 IC 576Mb 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA（19x19）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 576Mb 存储器组织: 8M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 访问时间: 2.6 ns 电压 - 供电: 0.95V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 324-BGA 供应商器件封装: 324-PBGA（19x19）

MSR820AJC288-12

制造商: MOSYS, INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:

简介: 1T-SRAM 存储器 IC 576Mb 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA（19x19）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 576Mb 存储器组织: 8M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.6 ns 电压 - 供电: 0.95V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 324-BGA 供应商器件封装: 324-PBGA（19x19）

MSR630AGC-1512

制造商: MOSYS, INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:

简介: 1T-SRAM 存储器 IC 1.152Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 1.152Gb 存储器组织: 16M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.7 ns 电压 - 供电: 1V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 676-BGA 供应商器件封装: 676-BGA（27x27）

MSR830AGC-1512

制造商: MOSYS, INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
数据:

简介: 1T-SRAM 存储器 IC 1Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）

DigiKey 可编程: 未验证存储器类型: 易失存储器格式: SRAM 技术: 1T-SRAM 存储容量: 1Gb 存储器组织: 16M x 72 存储器接口: 并联时钟频率: 1.25 GHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 2.7 ns 电压 - 供电: 1V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 676-BGA 供应商器件封装: 676-BGA（27x27）