WOLFSPEED, INC.
C3M0060065J
制造商: WOLFSPEED, INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 36A（Tc） 136W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 13.2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 600 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
C3M0160120K1
制造商: WOLFSPEED, INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 1200 V 17.9A（Tc） 103W（Tc） TO-247-4L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 208 毫欧 @ 8.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 2.33mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 730 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 103W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
E4M0060075J2-TR
制造商: WOLFSPEED, INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 750 V 36A（Tc） 131W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13.4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 3.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1205 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 131W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
E4M0060075K1
制造商: WOLFSPEED, INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 750 V 35A（Tc） 126W（Tc） TO-247-4L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13.4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 3.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1203 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 126W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
C3M0060065J-TR
制造商: WOLFSPEED, INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 36A（Tc） 136W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 13.2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 600 V
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA