FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）: 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 157A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 100A， 18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 50mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 288 nC @ 15 V Vgs（最大值）: +22V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9335 pF @ 800 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 567W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4