INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.
AIMBG75R040M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 750 V 42A（Tc） 156W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA