BCP56-16-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 63 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.5 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
BCP5616TTA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2.5 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
SBCP56-16T1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.5 W
频率 - 跃迁: 130MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223（TO-261）
BCP56-16T3G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.5 W
频率 - 跃迁: 130MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223（TO-261）
BCP56-16T-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 155MHz 600 mW 表面贴装型 SOT-223
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 600 mW
频率 - 跃迁: 155MHz
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
BCP56-16
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 1.3 W 表面贴装型 SOT-223
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
BCP5616TA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616QTC
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616QTA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616TQTA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2.5 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3