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BCP56-16H-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 155MHz 725 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 725 mW 频率 - 跃迁: 155MHz 工作温度: 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16TF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 600 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 600 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16,135

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 180MHz 650 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 650 mW 频率 - 跃迁: 180MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 180MHz 650 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 650 mW 频率 - 跃迁: 180MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 180MHz 650 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 650 mW 频率 - 跃迁: 180MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16TX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 600 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 600 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP56-16HX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 725 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 725 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP5616MTWG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 140MHz 1.5 W 表面贴装，可润湿侧翼 3-WDFNW（2x2）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.5 W 频率 - 跃迁: 140MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳: 3-WDFN 祼焊盘供应商器件封装: 3-WDFNW（2x2）

BCP56-16T-QF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 155MHz 600 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 600 mW 频率 - 跃迁: 155MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP5616TTC

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 2.5 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223-3