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BCP56-16-QF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 180MHz 650 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）功率 - 最大值: 650 mW 频率 - 跃迁: 180MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BCP5616TQTC

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 2.5 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223-3

BCP5616H6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 100MHz 2 W 表面贴装型 PG-SOT223-4-10

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: PG-SOT223-4-10

BCP5616TC

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 125MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 125MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223-3

BCP56-16-AU_R2_007A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 1 A 100MHz 2.6 W 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 2.6 W 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: - 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

MMST4403-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST4403-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST4403T146

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SMT3

MMST4403-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单

MMST4403HE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323