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BSC0911ND

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 160.0A R[th]: 3.4K/W R[th]: 1.5K/W R[thJC] max: 3.4K/W R[thJC] max: 1.5K/W R[thJA] max: 50.0K/W P[tot] max: 2.5W V[DS] max: 25.0V V[DS] max: 25.0V Q[G](typ @4.5V): 7.7nC Q[G](typ @4.5V): 25.0nC I[D ](@25°C) max: 40.0A I[D ](@25°C) max: 40.0A Polarity: N C[iss]: 1200.0pF C[iss]: 3800.0pF C[oss]: 1400.0pF C[oss]: 470.0pF R[DS (on)](@10V) max: 1.2mΩ R[DS (on)](@10V) max: 3.2mΩ 更多

R[DS (on)](@4.5V) max: 1.7mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.8mΩ R[DS (on)](@4.5V LL) max: 1.7mΩ R[DS (on)](@4.5V LL) max: 4.8mΩ Package: Asymmetrical Dual 5x6 V[GS(th)]: 1.6V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.59

BSC0924NDI

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 160.0A R[th]: 4.2K/W R[th]: 3.4K/W P[tot] max: 2.5W P[tot] max: 2.5W V[DS] max: 30.0V V[DS] max: 30.0V Q[G](typ @4.5V): 6.7nC Q[G](typ @4.5V): 8.5nC I[D ](@25°C) max: 13.0A I[D ](@25°C) max: 10.0A Polarity: N C[iss]: 1100.0pF C[iss]: 870.0pF C[oss]: 330.0pF C[oss]: 460.0pF R[DS (on)](@10V) max: 3.7mΩ R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.2mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 7.0mΩ 更多

R[DS (on)](@4.5V LL) max: 5.2mΩ R[DS (on)](@4.5V LL) max: 7.0mΩ Special Features: Monolithically Integrated Schottky-like Diode Package: Asymmetrical Dual 5x6 V[GS(th)]: 1.85V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.34

IPB012N04NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 197.0A I[D ] max: 197.0A I[Dpuls] max: 788.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 159.0nC Q[G]: 159.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.25mΩ R[DS (on)] max: 1.25mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 1.04

IPB014N04NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel Power MOSFET 40 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 191.0A I[D ] max: 191.0A I[Dpuls] max: 764.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 188.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC Q[G]: 106.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.45mΩ R[DS (on)] max: 1.45mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 0.7

IRL40S212

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40 V Single N-Channel HEXFET power MOSFET in a D²PAK package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 231.0W Q[gd]: 46.0nC R[thJC] max: 0.65K/W V[DS] max: 40.0V V[GS] max: 20.0V Polarity: N T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 1.9mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.4mΩ V[GS(th)]: 1.7V Q[G](typ @4.5V): 91.0nC I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.7

IPF013N04NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 232.0A I[D ] max: 232.0A I[Dpuls] max: 928.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 188.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC Q[G]: 106.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.35mΩ R[DS (on)] max: 1.35mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 0.88

IPF009N04NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 302.0A I[D ] max: 302.0A I[Dpuls] max: 1208.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 375.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G]: 210.0nC Q[G](typ @10V): 210.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ R[DS (on)] max: 0.9mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 1.27

IPD031N03LG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 400.0A V[GS(th)] max: 2.2V R[th]: 1.6K/W P[tot] max: 94.0W V[DS] max: 30.0V Q[G](typ @4.5V): 25.0nC Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @10V): 51.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.4mΩ R[DS (on)](@4.5V LL) max: 4.4mΩ I[D ](@25°C) max: 90.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.35

IPD029N04NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 131.0A I[Dpuls] max: 524.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 107.0W Package: DPAK (TO-252) Pin Count: 3.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 45.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.9mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 0.35

ISK024NE2LM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 25 V, 2.4 mΩ, smallest form factor in PQFN 2x2 package

P[tot] max: 11.0W Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 6.9nC Q[G](typ @10V): 14.8nC R[DS (on)](@10V) max: 2.4mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 3.4mΩ R[DS (on)] max: 2.4mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 2 x 2 (DFN2020) Budgetary Price €/1k: 0.23 I[D ](@25°C) max: 103.0A I[Dpuls](@25°C) max: 410.0A