I[D ](@25°C) max: 57.0A
I[D ](@ T[C]=25°C) max: 57.0A
I[Dpuls] max: 228.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 65.0W
Polarity: N+N
Q[G](typ @10V): 41.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 11.2mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 15.8mΩ
V[DS] max: 60.0V
Package: SuperSO8 5x6
V[GS(th)]: 1.7V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.45
Configuration: Discrete
I[D ](@100°C) max: 21.0A
I[D ](@25°C) max: 34.0A
V[F] max: 1.4V
Package: SMD-1
Polarity: N
Die Size: 5
QPL Part Number: 2N7268U
TID max: 500.0Krad(Si)
ESD Class: Class 3A
R[DS (on)](@25°C) max: 65.0mΩ
Generation: R4
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 500
Qualification: DLA
Q[G]: 160.0nC
Language: SPICE
Voltage Class: 100.0V
Product Category: Rad hard MOSFETS
V[BRDSS]: 100.0V
ISCH42N04LM7
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Unleash maximum power with the next best-in-class OptiMOS™ 7 40 V power MOSFET in a PQFN 5x6
I[Dpuls] max: 2164.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 156.0nC
Q[G](typ @4.5V): 79.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 0.42mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 0.59mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[GS(th)]: 1.5V
I[D ](@25°C) max: 541.0A
Budgetary Price €/1k: 1.25
Special Features: Rds(on) optimized
IPP011N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 840.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 224.0nC
Q[G](typ @4.5V): 108.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.05mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 1.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 210.0A
Budgetary Price €/1k: 0.87
IPP050N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 212.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 21.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.95mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 7.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
Q[G](typ @4.5V): 10.0nC
I[D ](@25°C) max: 53.0A
Budgetary Price €/1k: 0.28
IPP018N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 512.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 46.0nC
Q[G](typ @10V): 95.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 128.0A
Budgetary Price €/1k: 0.54
IPP020N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 500.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 33.0nC
Q[G](typ @10V): 69.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 3.0mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 125.0A
Budgetary Price €/1k: 0.46
IPP023N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 484.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 24.0nC
Q[G](typ @10V): 50.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.35mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 3.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 121.0A
Budgetary Price €/1k: 0.41
IPP044N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 212.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Q[G](typ @10V): 27.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.35mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 6.0mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 53.0A
Budgetary Price €/1k: 0.31
IPP033N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in TO-220 package
I[Dpuls] max: 312.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 16.0nC
Q[G](typ @10V): 33.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 5.0mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
I[D ](@25°C) max: 78.0A
Budgetary Price €/1k: 0.37