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IPT008N06NM5LF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 60V, 0.8mΩ, 450A in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 454.0A I[D ] max: 454.0A I[Dpuls] max: 1816.0A Mounting: SMD P[tot] max: 278.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 185.0nC Q[G]: 185.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.8mΩ R[DS (on)] max: 0.8mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 3.1V Package: TOLL (HSOF-8) Special Features: Wide SOA Operating Temperature max: 150.0°C Battery voltage: 24-66 V Budgetary Price €/1k: 2.79

IPT009N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET 60 V 0.9 mΩ in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 427.0A I[Dpuls] max: 1708.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 171.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Budgetary Price €/1k: 2.69

IPP019N06NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 60 V in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 185.0A I[D ] max: 185.0A I[Dpuls] max: 740.0A Mounting: THT P[tot] max: 188.0W Package: TO-220 Pin Count: 3.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 108.0nC Q[G]: 108.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.9mΩ R[DS (on)] max: 1.9mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 24-66 V Budgetary Price €/1k: 0.75

IPT012N08NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 351.0A I[Dpuls] max: 1404.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 170.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.23mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 2.23

IPTC011N08NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 408.0A I[Dpuls] max: 1632.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 375.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 178.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 3.28

IPTC014N08NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 330.0A I[Dpuls] max: 1320.0A Mounting: SMT P[tot] max: 300.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Pin Count: 16.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 144.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 2.47

IRFB7730

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Polarity: N Mounting: THT Package: TO-220 Q[gd]: 79.0nC R[thJC] max: 0.4K/W V[DS] max: 75.0V V[GS] max: 20.0V P[tot] max: 375.0W T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[GS(th)]: 2.9V Q[G](typ @10V): 271.0nC I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.19

IPTC007N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 454.0A I[Dpuls] max: 1816.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 375.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 209.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.75mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Battery voltage: 24-66 V Budgetary Price €/1k: 2.55

IRFS3306

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 26.0nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 60.0V Mounting: SMD P[tot] max: 230.0W R[thJC] max: 0.65K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 4.2mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 85.0nC I[D ](@25°C) max: 160.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.86

IST011N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V, 1.1 mOhm, 399 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package

I[D ](@25°C) max: 399.0A I[D ] max: 399.0A I[Dpuls] max: 1596.0A Mounting: SMT P[tot] max: 313.0W Package: sTOLL (HSOF-5) Pin Count: 5.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 110.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.1mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)] max: 3.3V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 24-36 V Budgetary Price €/1k: 1.81