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IPT012N06N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 960.0A Mounting: SMD P[tot] max: 214.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC Q[gd]: 19.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W R[thJC] max: 0.7K/W V[DS] max: 60.0V R[DS (on)](@10V) max: 1.2mΩ Package: TOLL (HSOF-8) I[D ](@25°C) max: 313.0A V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.96

IRLS3036

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Package: D2PAK (TO-263) V[GS] max: 16.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 380.0W Q[gd]: 51.0nC R[thJC] max: 0.4K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 60.0V R[DS (on)](@10V) max: 2.4mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.8mΩ V[GS(th)]: 1.75V I[D ](@25°C) max: 270.0A Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.3

IPT013N08NM5LF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 80V, 1.3mΩ, 330A in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 333.0A I[D ] max: 333.0A I[Dpuls] max: 1332.0A Mounting: SMD P[tot] max: 278.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 158.0nC Q[G]: 158.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.3mΩ R[DS (on)] max: 1.3mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.3V Special Features: Wide SOA Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 2.55

IPT012N08N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V in TOLL package

I[Dpuls] max: 1200.0A P[tot] max: 375.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 178.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W R[thJC] max: 0.4K/W V[DS] max: 80.0V C[iss]: 13000.0pF C[oss]: 2000.0pF R[DS (on)](@10V) max: 1.2mΩ Package: TOLL (HSOF-8) I[D ](@25°C) max: 300.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 2.66

IRFS7730

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Mounting: SMD P[tot] max: 375.0W R[thJC] max: 0.4K/W V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 79.0nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 75.0V R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[GS(th)]: 2.9V Q[G](typ @10V): 271.0nC I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.18

IRFS3307Z

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Ptot: NoneW Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N VDS: NoneV VGS: NoneV Tj: None°C Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) Qgd: 24.0nC RthJC: NoneK/W RDS (on)(@10V): NonemΩ RDS (on)(@10V): NonemΩ VGS(th): 3.0V VGS(th): 3.0V QG(typ @10V): 79.0nC QG(typ @10V): 79.0nC ID (@25°C): NoneA ID (@25°C): NoneA Operating Temperature: None°C Budgetary Price €/1k: 0.82

IRF3205S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: IR MOSFET 55 V in a D²PAK package

Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N T[j] max: 175.0°C P[tot] max: 200.0W Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 36.0nC R[thJC] max: 0.75K/W V[DS] max: 55.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 8.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 97.3nC I[D ](@25°C) max: 110.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.49

IPB037N06N3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

R[th]: 1.0K/W I[Dpuls] max: 360.0A R[thJC] max: 1.0K/W P[tot] max: 150.0W V[DS] max: 60.0V Q[G](typ @10V): 98.0nC Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N C[iss]: 8000.0pF C[oss]: 1700.0pF R[DS (on)](@10V) max: 3.7mΩ I[D ](@25°C) max: 132.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.52

IRFS3206

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 300.0W Q[gd]: 35.0nC R[thJC] max: 0.5K/W V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 60.0V R[DS (on)](@10V) max: 3.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: 210.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.92

IRFS3607

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 140.0W Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 16.0nC V[DS] max: 75.0V R[thJC] max: 1.05K/W T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 9.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 56.0nC I[D ](@25°C) max: 80.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.42