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IQDH29NE2LM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 789.0A I[Dpuls] max: 3156.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 88.0nC Q[G](typ @10V): 191.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.29mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.35mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 1.47

IQDH35N03LM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 700.0A I[Dpuls] max: 2800.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Q[G](typ @10V): 197.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 1.5

ISP16DP10LMA

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel power MOSFETs 100 V in SOT-223 package for automotive applications

I[D ](@25°C) max: -3.9A I[Dpuls] max: -15.6A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -21.0nC Q[G](typ @10V): -41.0nC R[DS (on)](@10V) max: 167.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 190.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -2.0V

ISP670P06NMA

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel power MOSFETs 60 V in SOT-223 package for automotive applications

I[D ](@25°C) max: -6.4A I[Dpuls] max: -25.6A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @10V): -36.0nC R[DS (on)](@10V) max: 67.0mΩ V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -4.0V

IPT017N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.7 mΩ, 321 A in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 321.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 165.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA

NIC9N05ATS1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Channel Polarity: N-Channel V(BR)DSS Min (V): 52 ID Typ (A): 9 rDS(on) Max (mΩ): 1210 PD Max (W): 1.74 Package Type: Bare Die MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

IPD023N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 137.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 24.0nC Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 3.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

IPD020N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 143.0A I[Dpuls] max: 572.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 33.0nC Q[G](typ @10V): 69.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.7mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

IPD030N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 99.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 16.0nC Q[G](typ @10V): 33.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.05mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.8mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

IPD040N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 73.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 13.0nC Q[G](typ @10V): 27.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.05mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.9mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V