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IPD047N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package

I[D ](@25°C) max: 71.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: DPAK (TO-252) Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 10.0nC Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.7mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 7.3mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISZ028N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package

I[D ](@25°C) max: 128.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 13.0nC Q[G](typ @10V): 27.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.8mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISZ056N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package

I[D ](@25°C) max: 72.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 7.4nC Q[G](typ @10V): 15.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.6mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 10.0mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISZ033N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package

I[D ](@25°C) max: 109.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 10.0nC Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.7mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

TPS1100

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 单路 P 通道增强-模式 MOSFET

Rating: Catalog Operating temperature range (°C): to Rating: Catalog Operating temperature range (°C): to

TPS1101

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 单路 P 通道增强-模式 MOSFET

Rating: Catalog Operating temperature range (°C): to Rating: Catalog Operating temperature range (°C): to

IPT023N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-channel Linear FET 2 100 V, 2.3 mΩ, 243 A in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 243.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 115.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA

ISA170230C04LMDS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 40 V in SO-8 package

I[D ](@25°C) max: 9.6A I[D ](@25°C) max: -8.8A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SO-8 Polarity: N+P Q[G](typ @4.5V): 6.0nC Q[G](typ @10V): 13.0nC Q[G](typ @4.5V): -12.6nC Q[G](typ @10V): -25.0nC R[DS (on)](@10V) max: 17.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 23.6mΩ R[DS (on)](@10V) max: 23.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 29.5mΩ V[DS] max: 40.0V V[DS] max: -40.0V V[GS(th)] max: 2.7V V[GS(th)] max: -2.7V

ISA250300C04LMDS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 40 V in SO-8 package

I[D ](@25°C) max: 7.9A I[D ](@25°C) max: -7.8A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SO-8 Polarity: N+P Q[G](typ @4.5V): 3.8nC Q[G](typ @10V): 7.9nC Q[G](typ @4.5V): -8.1nC Q[G](typ @10V): -16.1nC R[DS (on)](@10V) max: 25.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 30.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 44.0mΩ V[DS] max: 40.0V V[DS] max: -40.0V V[GS(th)] max: 2.7V V[GS(th)] max: -2.7V

ISA220280C03LMDS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 30 V in SO-8 package

I[D ](@25°C) max: 8.4A I[D ](@25°C) max: -8.1A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SO-8 Polarity: N+P Q[G](typ @4.5V): 4.2nC Q[G](typ @10V): 8.9nC Q[G](typ @4.5V): -7.2nC Q[G](typ @10V): -14.8nC R[DS (on)](@10V) max: 22.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 25.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 28.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 37.0mΩ V[DS] max: 30.0V V[DS] max: -30.0V V[GS(th)] max: 2.7V V[GS(th)] max: -2.7V