ISA150233C03LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 30 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 10.2A
I[D ](@25°C) max: -8.8A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[G](typ @4.5V): 6.7nC
Q[G](typ @4.5V): -12.0nC
Q[G](typ @10V): 14.0nC
Q[G](typ @10V): -24.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 18.7mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 23.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 27.7mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[DS] max: -30.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
V[GS(th)] max: -2.7V
ISA250250N04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+N channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 7.9A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+N
Q[G](typ @4.5V): 3.8nC
Q[G](typ @10V): 7.9nC
R[DS (on)](@10V) max: 25.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
ISA170170N04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+N channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 9.6A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+N
Q[G](typ @4.5V): 6.0nC
Q[G](typ @10V): 13.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 17.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 23.6mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
Die Size: 3
ESD Class: Class 2
Generation: R9
I[D ](@25°C) max: 17.0A
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
Polarity: N
Q[G]: 34.0nC
QPL Part Number: 7649U3CE
Qualification: COTS
R[DS (on)](@25°C) max: 110.0mΩ
TID max: 100.0Krad(Si)
V[F] max: 1.2V
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
V[BRDSS]: 250.0V
Die Size: 3
ESD Class: Class 2
Qualification: COTS
Q[G]: 45.0nC
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
TID max: 100.0Krad(Si)
Polarity: N
Generation: R9
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
I[D ](@25°C) max: 40.0A
R[DS (on)](@25°C) max: 18.0mΩ
V[BRDSS]: 60.0V
R[DS (on)](@25°C) max: 34.0mΩ
Q[G]: 48.0nC
Qualification: COTS
I[D ](@25°C) max: 35.0A
TID max: 100.0Krad(Si)
Die Size: 3
QPL Part Number: 2N7648U3C
ESD Class: Class 2
Polarity: N
Generation: R9
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
V[F] max: 1.2V
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
V[BRDSS]: 100.0V
ISC012N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 270.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 33.0nC
Q[G](typ @10V): 69.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.28mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.1mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC028N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 128.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Q[G](typ @10V): 27.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 4.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC015N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 214.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 24.0nC
Q[G](typ @10V): 50.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.6mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC052N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 74.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 7.4nC
Q[G](typ @10V): 15.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.2mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 9.8mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V