天天芯片 - 物料搜索

ISC033N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 108.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 10.0nC Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC023N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 150.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 16.0nC Q[G](typ @10V): 33.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 3.9mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC009N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 341.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 46.0nC Q[G](typ @10V): 95.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.45mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

IRF2804S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 330.0W Q[gd]: 66.0nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 40.0V V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N R[thJC] max: 0.45K/W R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 160.0nC I[D ](@25°C) max: 270.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.01

IRF2804

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220 Polarity: N P[tot] max: 330.0W Q[gd]: 66.0nC R[thJC] max: 0.45K/W V[DS] max: 40.0V V[GS] max: 20.0V Mounting: THT T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 160.0nC I[D ](@25°C) max: 270.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.98

IRF100PW219

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ power MOSFETs 100 V in TO-247 long leads

I[D ](@25°C) max: 203.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TO-247 Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V

IRFPW4468PBF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ power MOSFETs 100 V in TO-247 long leads

I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TO-247 Polarity: N Q[G](typ @10V): 363.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V

IPB021N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 2,1 mΩ, 176 A in D²PAK 3-pin

I[D ](@25°C) max: 176.0A I[Dpuls] max: 704.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 165.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.1mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA

IPTC017N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.7 mΩ, 351 A in TOLT package

I[D ](@25°C) max: 321.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 165.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA

IPF018N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1,8 mΩ, 259 A in D²PAK 7-pin

I[D ](@25°C) max: 259.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 165.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA