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IPM018N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.8 mΩ, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint

I[D ](@25°C) max: 285.0A Operating Temperature max: 175.0°C Polarity: N Q[G](typ @10V): 142.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.85mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.15V Package: mTOLG (8x8) Special Features: Wide SOA

ISC018N08NM6SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Dual-Side Cooling

I[D ](@25°C) max: 230.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 DSC Polarity: N Q[G](typ @10V): 63.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ Special Features: Dual-Side Cooling V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC031N08NM6SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Dual-Side Cooling

I[D ](@25°C) max: 145.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 DSC Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ Special Features: Dual-Side Cooling V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

BSS83I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFETs in SOT23 package reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -0.55A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-23 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -0.87nC Q[G](typ @10V): -1.79nC R[DS (on)](@10V) max: 1700.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2200.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

BSP171I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFET in SOT223 package, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ] max: -3.2A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -6.7nC Q[G](typ @10V): -13.9nC R[DS (on)](@10V) max: 250.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 310.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

BSS131I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade N-Channel Small Signal MOSFET in SOT23 package and 240 V breakdown voltage

I[D ](@25°C) max: 0.121A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-23 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 1.11nC Q[G](typ @10V): 1.96nC R[DS (on)](@10V) max: 14000.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 20000.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: 240.0V V[GS(th)]: 1.4V

BSP170I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFET in SOT223 package, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -3.2A I[Dpuls] max: -12.8A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @10V): -10.8nC R[DS (on)](@10V) max: 260.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -4.0V V[GS(th)] max: -4.0V

BSS84I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFETs in SOT23 package reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -0.29A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-23 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -0.29nC Q[G](typ @10V): -0.59nC R[DS (on)](@10V) max: 5500.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 7000.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

ISZ157N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3

I[D ](@25°C) max: 37.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Polarity: N Q[G](typ @10V): 8.3nC R[DS (on)](@10V) max: 15.7mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISZ053N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3 x 3.3

I[D ](@25°C) max: 90.0A I[Dpuls] max: 360.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Polarity: N Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.3mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V