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IQFH68N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.68mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 460.0A

IQFH99N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with very-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 115.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.99mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 339.0A

IQFH86N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with very-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 137.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.86mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 394.0A

IQFH61N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 190.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.61mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 510.0A

ISC014N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 279.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 79.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.45mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC151N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 37.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 8.3nC R[DS (on)](@10V) max: 15.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC056N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 88.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.6mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC031N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 145.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC018N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 230.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 63.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC088N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 59.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 13.7nC R[DS (on)](@10V) max: 8.8mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V