ISC025N08NM5LF2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 80 V, 2.55 mΩ, 199 A in a SuperSO8 (5x6) package
I[D ](@25°C) max: 198.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6 FL
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 77.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.55mΩ
V[DS] max: 80.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Special Features: Wide SOA
IPB175N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package
I[D ](@25°C) max: 61.0A
I[D ] max: 61.0A
I[Dpuls] max: 244.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: D2PAK (TO-263)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 31.0nC
Q[G]: 31.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 17.5mΩ
R[DS (on)] max: 17.5mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
IPP175N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package
I[D ](@25°C) max: 61.0A
I[D ] max: 61.0A
I[Dpuls] max: 244.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TO-220
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 31.0nC
Q[G]: 31.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 17.5mΩ
R[DS (on)] max: 17.5mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Channel Polarity: High Side Switch
V(BR)DSS Min (V): 41
ID Typ (A): 1
rDS(on) Max (mΩ): 160
PD Max (W): 1.49
Package Type: SOIC-8
MSL Type: 3
MSL Temp (°C): 260
ON Target: Yes
参考价格: $0.9115
FDB045AN08A0-F085
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 75 V、80 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Channel Polarity: N-Channel
Silicon Family: PowerTrench® T1
Package Name: D2PAK-3
Type: Low-Medium Voltage
Gate Level: Standard
Wide SOA Mosfets: 0
Configuration: Single
OPN in older Technology: 0
V(BR)DSS Min (V): 80
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ): 4.5
Vgs (V): ±20
Vgs(th) Max (V): 4
ID Max (A): 80
PD Max (W): 310
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ): -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ): -
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC): -
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC): 92
更多
Ciss Typ (pF): 6600
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC): 21
Qrr Typ (nC): 54
Coss Typ (pF): 1000
Crss Typ (pF): 240
Package Type: D2PAK-3 / TO-263-2
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 245
ON Target: No
参考价格: Price N/A
DMP6023LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2569 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
BSC050N10NS5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 16A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TDSON-8-7
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 72µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-7
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AUIRF4905S
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 55 V 42A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
CSD13383F4T
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 12 V 2.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR（1x0.60）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 44 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 291 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-PICOSTAR（1x0.60）
封装/外壳: 3-XFDFN
IPT60R125G7XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1080 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 120W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-2
封装/外壳: 8-PowerSFN