STP42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
STB42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DMC3730UFL3-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 1.1A，700mA 390mW 表面贴装型 X2-DFN1310-6（B 类）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 65.9pF @ 25V
功率 - 最大值: 390mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFDFN 祼焊盘
供应商器件封装: X2-DFN1310-6（B 类）
STW48N60DM2
制造商: STMICROELECTRONICS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3250 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
DMP3036SFG-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.7A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1931 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMP3035SFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1633 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STL42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 4A（Ta），34A（Tc） 3W（Ta），208W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），208W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳: 4-PowerVDFN
STW42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
TW015Z65C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247-4L（X）
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 342W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（X）
封装/外壳: TO-247-4
TW015N65C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 128 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4850 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 342W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3