TW015N120C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
TW015Z120C,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 431W（Tc） TO-247-4L（X）
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 158 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6000 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（X）
封装/外壳: TO-247-4
STWA67N60DM6
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 58A（Tc） 431W（Tc） TO-247 长引线
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 54 毫欧 @ 23.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3400 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 431W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 长引线
封装/外壳: TO-247-3
IPT009N08NM6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 43A（Ta），425A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Ta），425A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.95 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 278µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13000 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
NX3020NAKS,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 180mA 375mW 表面贴装型 6-TSSOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13pF @ 10V
功率 - 最大值: 375mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: 6-TSSOP
SQM120N04-1M7L_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 285 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14606 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SQM200N04-1M8_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17350 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SQM120N04-1M7_JE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17350 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSS308PEH6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AUIRFR3806TRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 43A（Tc） 71W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 71W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63