NTHL019N65S3H
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 75A（Tc） 625W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.3 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 14.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 282 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15993 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 625W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
NTH4LN019N65S3H
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 75A（Tc） 625W（Tc） TO-247-4
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.3 毫欧 @ 37.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 14.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 282 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15993 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 625W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4
封装/外壳: TO-247-4
GT040N10T
制造商: GOFORD SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 200W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5920 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
IPW65R190C7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 290µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 72W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
NVMFD5C650NLT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Ta），111A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2546pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
IRLML5203TRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3™/SOT-23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 98 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 510 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro3™/SOT-23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMP4015SPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC084P03NS3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-5
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.9A（Ta），78.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4785 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC060P03NS3EGATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8-1
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6020 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-1
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMP34M4SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 135A（Tc） 1.5W PowerDI5060-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 135A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 127 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3775 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN