NTND31225CZTAG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 20V 220mA（Ta），127mA（Ta） 125mW（Ta） 表面贴装型 6-XLLGA（0.9x0.65）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA（Ta），127mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V，5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.3pF @ 15V，12.8pF @ 15V
功率 - 最大值: 125mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFLGA
供应商器件封装: 6-XLLGA（0.9x0.65）
AO4629
制造商: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 6A，5.5A 2W 表面贴装型 8-SOIC
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道，共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A，5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 310pF @ 15V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
SIA485DJ-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 150 V 1.6A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK® SC-70-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 155 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 15.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6
DMP6110SSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 4.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
TSM8568CSRLG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 15A（Tc），13A（Tc） 6W 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc），13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 646pF @ 15V，1089pF @ 15V
功率 - 最大值: 6W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
SI4101DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 25.7A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 203 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8190 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DMC4015SSD-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 8.6A，6.2A 1.2W 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.6A，6.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1810pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.2W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
SI4151DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 15.2A（Ta），20.5A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.2A（Ta），20.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3250 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），5.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DMP31D7LVQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 620mA（Ta） 500mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 620mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 900mOhm @ 420mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 19pF @ 15V
功率 - 最大值: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
DMP6110SSSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 3.3A（Ta），7.8A（Tc） 1.5W（Ta） 8-SO
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta），7.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）