PMEG1020EH,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 10 V 2A 表面贴装型 SOD-123F

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V 电流 - 平均整流 (Io): 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 460 mV @ 2 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 5V,1MHz 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F 工作温度 - 结: 150°C(最大)

PMEG1020EH-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 10 V 2A 表面贴装型 SOD-123F

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V 电流 - 平均整流 (Io): 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 460 mV @ 2 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 5V,1MHz 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F 工作温度 - 结: 150°C

1N4148

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 75 V 200mA 通孔 DO-35

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35 工作温度 - 结: -50°C ~ 175°C

1N4148TR

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 75 V 300mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 300mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 8 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

1N4148

制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 75 V 150mA 通孔 DO-204AH(DO-35 玻璃)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35 玻璃) 工作温度 - 结: 175°C

1N4148TR_S00Z

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 100 V 200mA 通孔 DO-35

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

1N4148,113

制造商: NXP USA INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 100 V 200mA 通孔 ALF2

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: ALF2 工作温度 - 结: 200°C(最大)

1N4148-T

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 75 V 150mA 通孔 DO-35

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

1N4148

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管

ES1G-LTP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C