BAS40-04HE3-13P
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23
BAS40-04-HE3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-HE3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04HQ-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23
BAS40-04-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04T-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA（DC） 表面贴装型 SOT-523
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-523
供应商器件封装: SOT-523
BAT5405WH6327XTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 SC-70，SOT-323
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: PG-SOT323
BAT5405E6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
BAT54-05B5003
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23