BAS16E6433HTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 80 V 250mA 表面贴装型 PG-SOT23
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
工作温度 - 结: 150°C（最大）
SMBD914E6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 250mA 表面贴装型 PG-SOT23
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
工作温度 - 结: 150°C（最大）
BAS16E6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 80 V 250mA 表面贴装型 PG-SOT23
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
工作温度 - 结: 150°C（最大）
D921S45TXPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 4500 V 1630A 底座安装
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 4500 V
电流 - 平均整流 (Io): 1630A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.6 V @ 2500 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 mA @ 4500 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: DO-200AD
供应商器件封装: -
工作温度 - 结: -40°C ~ 140°C
D1461S45TXPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1720A 底座安装 BG-D10026K-1
技术: 标准
电流 - 平均整流 (Io): 1720A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 mA @ 4500 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: DO-200，变体
供应商器件封装: BG-D10026K-1
工作温度 - 结: -40°C ~ 140°C
BAS16,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 215mA 表面贴装型 TO-236AB
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
工作温度 - 结: 150°C（最大）
BAS16,235
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 215mA 表面贴装型 TO-236AB
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
工作温度 - 结: 150°C（最大）
RF071MM2STR
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 200 V 700mA 表面贴装型 PMDU
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 700mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 850 mV @ 700 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: PMDU
工作温度 - 结: 150°C（最大）
BAT760-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 30 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 15 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF @ 5V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N4448WS-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 150mA 表面贴装型 SOD-323
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 5 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C