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IDWD40G200C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package

I[(FSM)] max: 275.0A I[F] max: 40.0A I[R]: 20.0µA P[tot] max: 652.0W Q[C]: 358.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.18K/W V[F]: 1.5V Package: PG-TO247-2

IDWD10G200C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package

I[(FSM)] max: 97.0A I[F] max: 10.0A I[R]: 5.0µA P[tot] max: 245.0W Q[C]: 89.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.47K/W V[F]: 1.5V Package: PG-TO247-2

IDWD25G200C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package

I[(FSM)] max: 193.0A I[F] max: 25.0A I[R]: 12.0µA P[tot] max: 468.0W Q[C]: 224.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.25K/W V[F]: 1.5V Package: PG-TO247-2

IDWD50G200C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package

I[(FSM)] max: 325.0A I[F] max: 50.0A I[R]: 25.0µA P[tot] max: 789.0W Q[C]: 450.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.15K/W V[F]: 1.5V Package: PG-TO247-2

IDWD150G120C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max: 800.0A I[R]: 80.0µA P[tot] max: 1153.0W Q[C]: 660.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.1K/W V[F]: 1.5V I[F] max: 343.0A Package: PG-TO247-2

IDWD75G120C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max: 440.0A I[R]: 39.0µA P[tot] max: 683.0W Q[C]: 330.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.17K/W V[F]: 1.5V I[F] max: 186.0A Package: PG-TO247-2

IDWD60G120C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max: 380.0A I[R]: 30.0µA P[tot] max: 577.0W Q[C]: 280.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.2K/W V[F]: 1.45V I[F] max: 153.0A Package: PG-TO247-2

IDWD50G120C5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 功率二极管

描述: CoolSiC™ Schottky Diode 1200 V in TO-247-2 pin package

I[(FSM)] max: 330.0A I[R]: 26.0µA P[tot] max: 500.0W Q[C]: 223.0nC Qualification: Industrial R[thJC]: 0.23K/W V[F]: 1.45V I[F] max: 131.0A Package: PG-TO247-2

BAW156-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列

描述: 二极管阵列 1 对共阳极 85 V 140mA（DC）表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

二极管配置: 1 对共阳极技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 85 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 140mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 50 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr): 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA @ 75 V 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

VS-VSKJ7112

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列

描述: 二极管阵列 1 对共阳极 1200 V 40A 底座安装 ADD-A-PAK（3）

二极管配置: 1 对共阳极技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 40A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 mA @ 1200 V 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装封装/外壳: ADD-A-PAK（3）供应商器件封装: ADD-A-PAK®