MBR6045WT
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: -
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
VS-MBR6045WT-N3
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
VS-MBR6045WTPBF
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
MBR6045WT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
MBR6045WT
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
BAT54C,235
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BAT54C-QVL
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BAT6404E6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 250mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 100 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 30 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
DD260N16KHPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
描述: 二极管阵列 1 对串行连接 1600 V 260A 底座安装 模块
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1600 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 260A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.32 V @ 800 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 mA @ 1600 V
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块