JAN1N5712-1

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 16 V 33mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 16 V 电流 - 平均整流 (Io): 33mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 35 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 16 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500/444 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

JAN1N5712-1TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 16 V 33mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 16 V 电流 - 平均整流 (Io): 33mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 35 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 16 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500/444 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

JANTX1N5712-1TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 20 V 750mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 20 V 电流 - 平均整流 (Io): 750mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 35 mA 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 16 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500/444 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

JANTXV1N5712-1

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 16 V 33mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 16 V 电流 - 平均整流 (Io): 33mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 35 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 16 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500/444 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

JANTXV1N5712-1TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 16 V 33mA 通孔 DO-204AH(DO-35)

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 16 V 电流 - 平均整流 (Io): 33mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 35 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 16 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500/444 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-204AH(DO-35) 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

IDC73D120T6MX1SA2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 1200 V 150A 表面贴装型 带箔切割晶片

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 150A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.05 V @ 150 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 26 µA @ 1200 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 带箔切割晶片 工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C

DB207S

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 桥式整流器 单相 标准 1 kV 表面贴装型 MB-F

二极管类型: 单相 技术: 标准 电压 - 峰值反向(最大值): 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 2 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD,鸥翼 供应商器件封装: MB-F

DB207S

制造商: EVVO
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 桥式整流器 单相 标准 1 kV 表面贴装型 DBS

二极管类型: 单相 技术: 标准 电压 - 峰值反向(最大值): 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 3 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD,鸥翼 供应商器件封装: DBS

DB207S

制造商: SMC DIODE SOLUTIONS
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 桥式整流器 单相 标准 1 kV 表面贴装型 DB-S

二极管类型: 单相 技术: 标准 电压 - 峰值反向(最大值): 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 2 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD,鸥翼 供应商器件封装: DB-S

SS310BF

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 100 V 3A 表面贴装型 SMBF

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 850 mV @ 3 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 100 V 不同 Vr、F 时电容: 400pF @ 4V,1MHz 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-221AA,SMB(直引线) 供应商器件封装: SMBF 工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C