CLS10F40,L3F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 CL2E
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 570 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 130pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: CL2E
工作温度 - 结: 150°C
SBR1U150SA-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 150 V 1A 表面贴装型 SMA
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
SBRT5A50SAF-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 50 V 5A 表面贴装型 SMAF
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 530 mV @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装: SMAF
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
SBR3A40SA-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 3A 表面贴装型 SMA
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 400 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
SBR2M100SAF-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 2A 表面贴装型 SMAF
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV @ 2 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装: SMAF
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
VS-10BQ100-M35BT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 65pF @ 5V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
VS-10BQ100HM35BT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 65pF @ 5V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
PMEG6020ELRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 60 V 2A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 760 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 nA @ 60 V
不同 Vr、F 时电容: 110pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 175°C（最大）
STPSC5H12D
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1200 V 5A 通孔 TO-220AC
技术: SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 5 A
速度: 零恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 450pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
PMEG10020AELRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 2A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 770 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 nA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 135pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 175°C（最大）