ES1G-T
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 18pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ES1GWF-HF
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123F
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ES1GLM2G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ES1GRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 400 nA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 14pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 150°C（最大）
ES1GLH
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ES1GHE3-LTP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF @ 4V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
AES1G-HF
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ES1GLRVG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
CEFA104-G
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: 150°C（最大）
ES1GLWHRVG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C