ES1GLRUG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 1V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GLHR3G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GE-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMAE)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 45pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMAE) 工作温度 - 结: -50°C ~ 150°C

ES2JB

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 600 V 2A 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.68 V @ 2 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V 不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V,1MHz 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES2JB

制造商: EVVO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

GBU8K-E345

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU

二极管类型: 单相 技术: 标准 电压 - 峰值反向(最大值): 800 V 电流 - 平均整流 (Io): 3.9 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 8 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP,GBU 供应商器件封装: GBU

BAT54TA

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 SOT-23-3

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 400 mV @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 5 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 µA @ 25 V 不同 Vr、F 时电容: 7.5pF @ 1V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 工作温度 - 结: 125°C(最大)

S1G-E361T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 12pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

US1G-E361T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

RS1G-E361T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C