B5819WS-13P
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 48pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
B5819WS
制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -
B5819WS
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 5V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
B5819WSL
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: 125°C
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
TRS4A65F,S1Q
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 650 V 4A 通孔 TO-220F-2L
技术: SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 4 A
速度: 零恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 650V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商器件封装: TO-220F-2L
工作温度 - 结: 175°C（最大）
SBA120CS_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 20 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 450 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
1N4003G-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
1N4003GP
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AC（DO-41）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AC（DO-41）
工作温度 - 结: -50°C ~ 175°C
1N4003GP-E354
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C