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1N4003GP-E373

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

1N4003-G

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N4003G-K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 50 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V，1MHz 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N400354

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N4003G

制造商: SMC DIODE SOLUTIONS
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

1N4003G

制造商: YAGEO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2.5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N4003GP

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

1N4003GP-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

1N4003GL-T

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

1N4003GPE-E354

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

描述: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C