BZV55-B2V7,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 2.7 V 500 mW ±2% 表面贴装型 LLDS；MiniMelf
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 2.7 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: LLDS；MiniMelf
BZX85C27-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 20 V
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
BZX85C27-TAP
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±7% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 20 V
工作温度: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
BZX85C27_T50R
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1 W ±7% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 19 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
BZX85C27_T50A
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1 W ±7% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 19 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
BZX85C27
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 20 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N5231B-TAP
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
1N5231B-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5231B
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1.9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
BZV55-C3V9,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±5% 表面贴装型 LLDS；MiniMelf
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.9 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: LLDS；MiniMelf